Trasformatori di comando IGBT✉
Nei moderni azionamenti a frequenza variabile (VFD) gli IGBT vengono utilizzati nella fase inverter per la conversione di frequenza. Il corrispondente circuito Gate Driver deve fornire l'energia necessaria per la commutazione. Nelle applicazioni di potenza medio-alta vengono solitamente utilizzati convertitori DC/DC per questo scopo.
I trasformatori Gate Drive per IGBT sono l'elemento chiave di questi convertitori che mantengono la separazione galvanica sicura tra il circuito intermedio e il lato di controllo a bassa tensione.
Utilizzando nuclei toroidali realizzati in nanocristallino è possibile trasmettere la potenza di commutazione richiesta in involucri estremamente compatti risparmiando prezioso spazio sulla scheda PCB. Concetti avanzati di isolamento e avvolgimento garantiscono le più elevate tensioni di estinzione dell'effetto corona nonché basse capacità di accoppiamento.
È disponibile un ampio portafoglio per tensioni di lavoro tipiche comprese tra 500 V e 1200 V. I trasformatori presentano diversi rapporti di trasmissione e aree tensione-tempo per applicazioni esigenti.
CARATTERISTICHE:
·Bassa capacità di accoppiamento
·Elevata resistenza isolante (isolamento rinforzato)
·Tensione di estinzione della corona molto elevata
·Design compatti con involucri THT e SMT
·Intervallo di temperatura operativa: da -40 gradi a +105 gradi
·Intervallo di temperatura di stoccaggio: da -40 gradi a +105 gradi
ProdottoSerie | Serie 1.GT28✉ | 2.GT4099✉ | 3.GT4185✉ | 4.GT4215✉ |
5.GT4615✉ | 6.GT5032✉ | 7.GT5046✉ |
Shinhom si impegna a stabilire un elevato livello di eccellenza per le industrie che integrano o utilizzano tecnologie magnetiche nei nostri prodottiTrasformatori di comando IGBT✉prodotti.
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